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SAB8210 CW
SAB8210 CW
C2W芯片键合机
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无
产品-6.20-8210-CW
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压力范围
1~300N
键合后精度
≤±1μm;≤±500nm,≤±200nm@3σ
Chip尺寸
1*1—50*50mm
Wafer尺寸
Φ200mm、Φ300mm
TF工位
2
FOUP工位
2
UPH
400~2000
工艺能力
Cu-SiO₂混合键合;Cu/SiCN 混合键合
多模块一体化集成
活化、清洗、解UV、顶取、对准、键合、检测
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SAB8300 CW
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