设备特点
规格参数
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项 目指 标
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晶圆尺寸≤12inch, 向下兼容不规则形状样品
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适配材料Si, LT/LN, Sapphire, InP, SiC, GaAs, GaN, Diamond, Glass etc.
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上料模式手动上料
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加压系统最大压力80kN
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表面处理方式原位活化与溅射沉积
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溅射靶材≥3个，可旋转
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键合强度≥2.5J/m²@常温(Si-Si、玻璃-玻璃键合)
SAB6100是一款专为半导体及异质材料键合设计的研发型设备，采用常温键合技术，在超高真空下实现材料表面原子级活化与直接键合，无需加热即可形成高强度共价键。设备兼容全尺寸及不规则形状样品，可选配独立镀膜腔体，工艺稳定且产能高效。
邮箱：sales@isaber-s.com
地址：天津市滨海新区新北路4668号滨海创新创业园22号
