设备特点
规格参数
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项目指标
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TF工位2
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FOUP工位2
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键合压力范围1~300N
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键合后精度≤±500nm@片间同轴对准
≤±200nm@红外穿透对准 -
Chip尺寸5*8mm—50*50mm（红外穿透对准，Tape Frame形式上料）
0.5*0.5mm—50*50mm（片间同轴对准，Tape Frame形式上料） -
Wafer尺寸Φ200mm、Φ300mm
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UPH400~2000UPH（单键合头）
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工艺能力Cu-SiO2，混合键合;Cu/SiCN 混合键合
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多模块一体化集成活化、清洗、解UV、芯片拾取、对准、键合、检测
