SAB8300 CW
C2W芯片键合机
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压力范围/控压稳定性1~50N：±0.5N，51~2000N：±2N
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键合后精度≤±2μm；≤±1μm；≤±500nm
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活化方式甲酸催化活化等；离子体活化模块（选配）
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键合腔体气氛低真空、惰性气氛等
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