为加强半导体材料与器件技术突破，促进国内半导体技术跨越式发展，2023年5月19日，由市工业和信息化局、滨海新区政府主办，天津滨海高新区管委会承办的第七届世界智能大会平行论坛——中国信创产业发展峰会之半导体材料与器件融合技术论坛隆重开幕。

众多半导体行业的顶峰专家教授、行业大咖，共同莅临并出席本次论坛，探讨与展望“半导体材料与器件融合技术”的发展和趋势，为进一步促进微电子系统融合、新型半导体系统的研发制造提供了新思路、新方向。

国家01专项及6G技术总体组专家中科院微电子所刘新宇研究员主持了该论坛。

论坛伊始，天津市滨海高新区管委会副主任崔同湘开幕致辞，对与会嘉宾进行了热烈欢迎，并介绍了高新区良好的营商环境和高新企业情况。

东京大学杰出教授、原日本电子封装学会会长须贺唯知教授系统的介绍了键合技术在半导体应用中的重要性，并重点介绍了常温键合技术在半导体材料融合领域的实际应用，如高端滤波器用POI材料的生产制造、高散热性碳化硅基氧化镓薄膜材料的制备等。

清华大学长聘教授、国际焊接学会微纳连接委员会主席邹贵生教授深入浅出的介绍了多种微纳连接技术及前沿应用，并展望了微纳连接技术在半导体器件融合集成领域的应用前景。

西安电子科技大学微电子学院副院长、宽禁带半导体国家工程中心主任马晓华教授对超宽禁带半导体材料氧化镓的性能与优缺点进行了详细阐述，系统梳理了国际上氧化镓器件的进展，并重点介绍了西安电子科技大学微电子学院通过材料融合的技术手段有效改善氧化镓器件散热难题的最新进展。

中科院微电子研究所高频高压中心主任王鑫华研究员在“宽禁带半导体异质融合”的报告中对半导体材料键合技术难点和科学内涵进行了深入阐述，系统总结了氮化镓与金刚石异质融合的前沿进展，并着重介绍了中科院微电子研究所在氮化镓与金刚石异质融合领域的最新合作进展。

中科院微电子研究所高频高压中心主任王鑫华研究员

青禾晶元董事长兼总经理母凤文博士，对公司掌握的先进半导体材料键合集成技术进行了详细介绍与具体披露，引发了与会嘉宾的强烈兴趣与热烈讨论。据悉，半导体材料键合集成技术，是当前最先进的晶圆级异质集成技术之一，可以有效解决当前单一半导体材料性能受限、成本高、良率低等问题。目前，青禾晶元公司键合集成衬底产品已完成客户验证，并形成批量订单，受到资本市场和下游客户的广泛认同。公司将基于领先的技术优势和成熟的量产能力，进一步扩大产能、降低成本，以应对下游客户日益增长的产品需求。

“半导体材料与器件融合技术论坛”一场业内具有影响力的技术论坛。该技术论坛对于半导体行业的未来发展趋势进行了探讨，同时也对半导体行业的领先技术进行了普及与展示。