技术优势
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- 直接键合
- 无需中间层、反应层，键合更可靠
01
- 常温键合
- 无需升降温，异种材料的键合热应力小
02
- 工序简单
- 无需后续热处理，精度高、产能高
03
典型键合材料
- Si-Si
- Si-SiC
- 金属-金属
- 蓝宝石-蓝宝石
- SiC-GaN
- SiC-SiC
- LT/LN-Si/SiC
- LT/LN-SP
- InP-sic
- 激光晶体-激光晶体
- 激光晶体-金刚石
- GaN-金刚石
- 玻璃-玻璃
- Sic-Ga2O3
- Si-金刚石
- 玻璃-Polyimide
采用超高真空离子束轰击技术活化材料表面，无需加热或退火即可实现牢固共价键。键合强度高，支持异质材料（如SiC、Ga₂O₃、金刚石）键合，无热应力、无界面氧化层。应用领域涵盖复合衬底、MEMS、高散热需求的异质集成、多节太阳能电池、光学晶体集成、柔性电子等。
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