采用等离子体活化和水洗甩干在晶圆表面形成高密度羟基（-OH），在室温下通过范德华力进行预键合，然后进行退火形成高强度键合以及Cu-Cu互联。应用领域涵盖复合衬底（POI、SOI），InP/GaAs和SiO2异质集成，MEMS领域晶圆级封盖，3D堆叠图像传感器、存储器、Micro-LED的高密度互联。