设备特点
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- 高精度快速对准
- 采用Face to Face对准方式,对准精度≤±200nm,金属/共晶键合精度≤±2μm;
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- 多材料兼容
- 适合金属/合金材料的键合;适合玻璃/硅材料的键合;
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- 支持氢自由基活化
- H自由基可在180℃对Cu等金属材料表面进行低温还原,从而降低键合温度,提升键合质量;
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- 高效批量生产
- 最多可配置6个键合模块,多工位同时作业,大大提升设备整体产能;
规格参数
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项目指标
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晶圆尺寸6、8、12inch
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适配材料Si, Cu, Au, Au-Sn, Al-Ge, etc.
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最高温度550℃
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最大压合力100kN,控制精度 ≤±1%
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升温速度30℃/min
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温度均匀性±1.2%或±2℃,取大者
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压力均匀性±3%或±40N,取大者
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阳极电压电流≤2kV,≤100mA
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键合后精度≤5μm,≤2μm
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上料模式Cassette、SMIF、Foup可选
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键合气氛真空、甲酸、H自由基、惰性气氛