设备特点
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- 工艺兼容性高
- 支持12英寸及以下晶圆，可选配阳极键合功能，可以和上游对准/光刻机配套使用；
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- 精密控温控压
- 温度均匀性可达±1.2%，压力控制精度≤±1%，压力均匀性≤3%；
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- 支持氢自由基活化
- H自由基可在180℃对Cu等金属材料表面进行低温还原，从而降低键合温度，提升键合质量；
规格参数
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项目指标
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晶圆尺寸2-12 inch
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适配材料Si, Cu, Au, Au-Sn, Al-Ge, etc.
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最高温度550℃
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最大压合力100kN，控制精度 ≤±1%
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升温速度30℃/min
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温度均匀性±1.2%或±2℃，取大者
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压力均匀性±3%或±40N，取大者
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阳极电压电流≤2kV，≤100mA
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键合后精度≤5μm，≤2μm
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键合气氛真空、甲酸、H自由基、惰性气氛
