设备特点
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- 高效自动化上下料
- 支持Cassette、自制暗盒或EFEM多种上料方式，配备高精度机械手和晶圆180°翻转机构，采用ESC吸附确保稳定传输。
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- 超高性能真空系统
- Cluster、烘烤、活化及溅射腔室极限真空≤9.0E-6Pa，键合腔室≤5.0E-6Pa，LC腔抽真空≤3分钟、破空≤1分钟，实现高效节拍与稳定工艺环境。
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- 精密对准与压力控制
- 集成寻边定位机构（角度≤±0.2°、位置≤±0.1mm），支持100KN最大加压压力，压机精度≤±0.5%且压力均匀性≤±5%，保障键合精度与一致性。
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- 高效活化与量产能力
- 活化刻蚀速率≥15nm/min且粗糙度增加值≤0.1nm，WPH≥12，结合烘烤模块快速除水汽，满足高产量与高质量需求。
规格参数
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项目指标
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晶圆尺寸2-12 inch
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适配材料Si、LT/LN、蓝宝石、InP、sicGaAs、GaN 等半导体材料以及金属、玻璃等
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产能≥12 pairs/h
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上料模式Cassette
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加压系统最大压力100kN
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溅射靶材≥2个，可旋转
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对准方式及精度边缘对准精度≤±50μm；Mark对准≤±2μm
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布局多腔室团簇式布局
