技术优势
-
- 不需要bump，通过铜对铜的直接键合，支持小于10微米的高密度互联间距
01
- C2W键合支持KGD（Known Good Die）芯片筛选
02
- C2W键合适用于不同工艺节点的芯片集成
03 -
- C2W键合适用于不同材质及结构的芯片集成
04
对晶圆和芯片的键合面进行等离子体活化和水洗甩干处理，在室温下进行对准预键合，然后进行退火实现介质层键合和Cu-Cu扩散连接。应用领域涵盖NAND、DRAM、HBM等存储器的多层堆叠，Micro-LED、图像传感器、硅光集成器件的高密度互联。
邮箱：sales@isaber-s.com
地址：天津市滨海新区新北路4668号滨海创新创业园22号
