设备特点
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- 强大的芯片尺寸兼容能力
- 通过优化芯片拾取技术，芯片厚度最薄至35μm，尺寸跨度0.5*0.5mm—50*50mm；
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- 兼容不同对准方式
- 片间同轴：键合精度≤±500nm；红外穿透：键合精度≤±200nm；
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- 可选从下往上键合
- 除从上往下之外，可选从下往上键合。从下往上键合过程中，晶圆键合面朝下，芯片无需翻转，大大降低颗粒污染风险；
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- overlay实时测量与反馈控制
- 芯片键合后即时测量overlay，通过算法在后续芯片键合中自动进行补偿，保证稳定的键合精度；
规格参数
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项目指标
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TF工位2
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FOUP工位2
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键合压力范围1~300N
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键合后精度≤±500nm@片间同轴对准
≤±200nm@红外穿透对准 -
Chip尺寸5*8mm—50*50mm（红外穿透对准，Tape Frame形式上料）
0.5*0.5mm—50*50mm（片间同轴对准，Tape Frame形式上料） -
Wafer尺寸Φ200mm、Φ300mm
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UPH400~2000UPH（单键合头）
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工艺能力Cu-SiO2，混合键合;Cu/SiCN 混合键合
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多模块一体化集成活化、清洗、解UV、芯片拾取、对准、键合、检测
