设备特点
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- 自动化调平和对准
- 芯片和芯片之间调平和对准可自动化完成，避免繁琐耗时的手动校准，快捷高效，键合精度最高≤±300nm；
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- 强大的芯片尺寸兼容能力
- 可兼容芯片尺寸跨度从0.3*0.3mm微型芯片至100*100mm大面阵芯片；
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- 优异的快速升降温能力
- RT-450℃升温时间≤2s，支持气体冷却快速降温，从而减少热失配变形，避免bump间短路，并提高键合效率；
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- 支持氢自由基活化
- H自由基可在180℃对Cu等金属材料表面进行低温还原，从而降低键合温度，提升键合质量；
规格参数
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项目指标
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样品尺寸上：0.3*0.3~50*50mm（可选100*100mm）
下：2*2~50*50mm（可选100*100mm） -
压力范围2~2000N/3000N
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控压稳定性±2N
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键合后精度≤±1μm；≤±500nm；≤±300nm
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压头控温范围RT~450℃
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压头控温稳定性±0.5℃
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压头升温速率(RT-450℃)6s@50*50mm; 2s@32*32mm
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冷却方式气体冷却
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键合腔体气氛惰性气氛、氢自由基环境
