- 工艺能力
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- 离子注入
- 离子注入机
- 晶圆尺寸：4、6、8、12 inch及异形材料
- 注入能量：5-210KeV
- 注入剂量：5E11-1E17 ions/c㎡
- 注入角度：Tilt:0-60°、Twist:0-359°
- 加工片源类型：SiC、Si、LN、LT、金刚石
- 主要功能：
- 用离子注入的方式完成H、P、He元素的掺杂改性
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- 键合
- 室温键合机
- 晶圆尺寸：4、6、8 inch
- 晶圆厚度：＜1000µm
- 对位精度：X,Y≤70µm、θ≤0.2deg
- 键合能：1.0-2.0 J/m2
- 加工片源类型：单晶SiC、多晶SiC、Si、SiO2、LT、LN、石英、玻璃、蓝宝石、InP、YAG、GaAs等
- 主要功能：
- 同质&异质材料键合
- 亲水/混合键合机
- 晶圆尺寸：6、8 inch
- 晶圆厚度：6inch≤700µm 8inch≤800µm
- 键合能：1.4-2.0 J/m2
- 加工片源类型：Si、SiO2、LT、LN、InP、GaAs、SiN等
- 主要功能：
- 同质&异质材料键合
- 热压阳极键合机
- 晶圆尺寸：4、6、8、12inch
- 晶圆厚度：0.3-3mm
- 对位精度：≤0.5mm（机械对位）、≤2μm（光学对准）
- 键合能：≥2.0 J/m2
- 加工材料类型：Si、Au、Ag、Cu、AuSn、AlGe、SnAg、AuGe、Auln、AuSi等
- 主要功能：
- 金属材料热压键合、共晶材料键合、阳极键合
- 临时键合机、解键合机
- 晶圆尺寸：4、6、8、12inch
- 晶圆厚度：0.3-3mm
- 加工片源类型：Si、SiO2、Glass、Sapphire、GaAs、InP等
- 解键合方式：热滑移（4-8inch）、激光（4-12inch）
- 主要功能：
- 临时键合、解键合
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- 减薄
- 减薄机
- 晶圆尺寸：4、6、8 inch
- 晶圆厚度：＜2200µm
- 设备能力：TTV＜1µm
- Ra：Si/LN/LT＜10nm
- Ra：SiC< 3nm
- 加工片源类型：单晶SiC、多晶SiC、Si、LN、LT、SiO2、YAG、SP
- 主要功能：
- 修正材料面型；去除晶圆背面多余材料，以有效减小晶圆封装体积，降低热阻，提高器件的散热性能
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- CMP
- 化学机械抛光
- 晶圆尺寸：6、8 inch
- 晶圆厚度：290-1100µm
- 设备能力：粗糙度Ra＜0.2nm（多晶SiC 粗糙度Ra＜0.5nm），THK Range＜400A
- 加工片源类型：单晶SiC、多晶SiC、Si、LN、LT、SiO2及其他复合衬底
- 主要功能：
- 对晶圆表面凹凸不平的薄膜进行平坦化，实现薄膜 的抛光功能
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- 氧化
- 氧化炉
- 晶圆尺寸：6 inch
- 晶圆厚度：350-750µm
- 设备能力：氧化0-1µm
- 氧化方式：氢氧合成/干氧
- 加工片源类型：硅片
- 主要功能：
- 氧化硅基材料
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- 多晶
- LPCVD炉管
- 晶圆尺寸：6 inch
- 晶圆厚度：500-750µm
- 设备能力：沉积0-1.3µm
- 淀积方式：u-poly
- 加工片源类型：硅片
- 主要功能：
- 生长硅基材料多晶层
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- 刻蚀
超硬材料平坦化
- 超原子束抛光设备
- 晶圆尺寸：2、4、6、8 inch及异形材料
- 晶圆厚度：＜1000µm
- 设备能力：抛光
- 加工片源类型：不限
- 主要功能：
- 金刚石及各类材料无损伤抛光，降低粗糙度
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- 退火
- 退火炉
- 晶圆尺寸：6 inch
- 晶圆厚度：＜1350µm
- 设备能力：温度范围≤1050℃
- 炉体氛围为N2、Ar
- 加工片源类型：金刚石、单晶SiC、多晶SiC、SOI及其他复合衬底
- 主要功能：
- 用于同质&异质复合衬底晶圆剥离；退火工艺
- 修复退火炉
- 晶圆尺寸：6、8 inch
- 晶圆厚度：＜1350µm
- 设备能力：温度范围≤2000℃
- 炉体氛围为N2、Ar
- 加工片源类型：金刚石、单晶SiC、多晶SiC、SOI及其他复合衬底
- 主要功能：
- 用于硅及化合物半导体材料离子注入后的缺陷消除、 杂质激活、硅化物形成等工艺
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- 清洗
- 单片清洗机
- 晶圆尺寸：4、6、8 inch
- 晶圆厚度：200-2000µm
- 设备能力：清洗后颗粒
- SiC（@≥0.3µm）≤30ea
- Si（@≥0.3µm）≤10ea
- 金属含量＜5.0E+10 atoms/cm2（与材料前值状态相关）
- 加工片源类型：Si/LT/LN/SiO2/SiC/石英/多层结构复合衬底
- 主要功能：
- 实现标准单片清洗工艺：依次去除晶圆表面有机污染、 颗粒污染、金属污染及表面自然氧化层
- RCA手动清洗机
- 晶圆尺寸：4、6、8 inch
- 晶圆厚度：200-1000µm
- 设备能力：清洗后颗粒
- SiC（@≥0.3µm）≤200ea
- Si（@≥0.3µm）≤20ea
- 金属含量＜5.0E+10 atoms/cm2 （与材料前值状态相关）
- 加工片源类型：Si/LT/LN/SiO2/SiC/石英/多层 结构复合衬底
- 主要功能：
- 实现标准RCA清洗工艺：依次去除晶圆表面有机污染、 颗粒污染、金属污染及表面自然氧化层
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- 倒角
- 倒角机
- 晶圆尺寸：6、8 inch
- T型倒角：宽度≤3mm、深度＜700µm
- R型倒角：上下面幅差值＜70µm、直径差异＜50µm
- T型倒角晶圆厚度：＜1200µm
- R型倒角晶圆厚度：350-600µm
- 加工片源类型：单晶SiC、多晶SiC、Si、SiO2、YAG、SP、LT、LN、石英等
- 主要功能：
- 晶圆R型和T型倒角作业
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- 测试
- 晶圆缺陷检测机
- 晶圆尺寸：4、6、8 inch
- 晶圆厚度：290-1000µm
- 设备能力：BF&DF&PL缺陷检测Particle 0.2µm以上
- 加工片源类型：Si、SiC、LT、LN、SiO2及其它复合衬底
- 主要功能：
- 检测晶圆表面缺陷情况
- 薄膜厚度测量仪
- 晶圆尺寸：不限
- 晶圆厚度：不限
- 设备能力：膜厚范围10nm-250µm
- 加工片源类型：膜层结构的任何材料
- 主要功能：
- 检测晶圆膜层情况
- 平面度测量仪
- 晶圆尺寸：4、6、8 inch
- 晶圆厚度：300-1000µm
- 设备能力：TTV/LTV/Warp/Bow/THK等
- 加工片源类型：不限
- 主要功能：
- 检测晶圆面型情况
- 原子力显微镜
- 晶圆尺寸：4、6、8 inch及异形材料
- 晶圆厚度：＜3000µm
- 设备能力：最小测试尺寸5*5µm
- Ra＜10nm；
- 台阶高度＜5µm，有可见的台阶位置，台阶宽度范围小于50µm
- 加工片源类型：不限
- 主要功能：
- 利用探针和样品间原子作用力的关系来获取样品的表面形貌
- 超声波显微镜
- 晶圆尺寸：不限
- 晶圆厚度：不限
- 设备能力：最小分辨率为0.5µm
- 输出Map及空洞率
- 加工片源类型：不限
- 主要功能：
- 用于观察键合后晶圆内部分层、空洞、气泡、空隙、杂质颗粒等缺陷等
- 3D混合共聚焦扫描显微镜
- 晶圆尺寸：不限
- 晶圆厚度：不限
- 设备能力：台阶高度为5-50µm
- 缺陷表征：0.3µm以上
- 粗糙度：µm级
- 加工片源类型：不限
- 主要功能：
- 获取样品表面3D形貌，实现对表面粗糙度、微结构几何尺寸的有效表征
- 等离子体质谱仪
- 晶圆尺寸：不限
- 晶圆厚度：不限
- 设备能力：可测量Li、B、Na、Mg、Al、K、 Ga、Ti、Cr、Ni、Cu、Fe、Zn、Ce等金属；检出限为PPT级
- 加工片源类型：不限
- 主要功能：
- 检测样品金属元素
- 非接触式电阻仪
- 晶圆尺寸：2、4、6、8 inch
- 晶圆厚度：300-800µm
- 设备能力：电阻范围为0.035-10³Ω/sq
- 类型：Si/SiC
- 主要功能：
- 检测样品电阻率
- 空洞红外检测仪
- 晶圆尺寸：2、4、6、8、12 inch
- 晶圆厚度：不限
- 设备能力：测量空洞数量和尺寸
- 加工片源类型：Si-Si、Si-SiO2、LT/LN-Si、LT/LN-SiO2、SiC-SiC等键合片
- 主要功能：
- 检测样品空洞水平
- 四探针方阻仪
- 晶圆尺寸：2、4、6、8、12 inch
- 晶圆厚度：≤1mm
- 设备能力：测量精度≤0.1%
- 方块电阻测量范围： 1mΩ/sq - 8x10⁵Ω/sq
- 加工片源类型：具有P/N结的Si材料
- 主要功能：
- 用来测量晶圆表面的电阻率
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- Trim
- 离子束抛光刻蚀机
- 晶圆尺寸：4、6、8 inch
- 晶圆厚度：400-1000µm
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设备能力：THK Sigma 提升3倍以上
（SiO2 THK Range ＜10A；LTOI/LNOI range＜100A; SICOI range＜1000A。range受膜层材料前值影响 ） -
加工片源类型：SOI、SIO2、SiN、SIC复合衬底、LNOI、LTOI等带膜层材料
- 主要功能：
- 刻蚀各类薄膜材料，进行膜厚修整
