6寸半绝缘SiC复合衬底
- Items
- Specification
- Diameter
- 150±0.2mm
- Poly type
- 4H
- Resistivity
- >E8ohm·cm
- Transfer layer Thickness
- ≥0.5μm
-
Void(Size: ≥5mm)
Void(Size: 1 ~ 5mm)
Void(Size: 0.5~1mm)
-
0ea/wafer
≤3ea/wafer
≤5ea/wafer
- Front (Si-face) roughness
- Ra≤0.2nm (5μm*5μm）
- Edge Chip,Scratch,Crack（visual inspection）
- None
- TTV
- ≤5μm
- Warp
- ≤50μm
- Thickness
- 500±25μm
